Indi thiếc oxide là một oxide hỗn hợp của indi và thiếc có điểm nóng chảy trong khoảng 1526–1926 °C (1800–2200 K, 2800–3500 °F), tùy thuộc vào thành phần. Vật liệu được sử dụng phổ biến nhất là một oxide có thành phần In4Sn. Vật liệu này là chất bán dẫn loại n có năng lượng vùng cấm (bandgap) lớn, khoảng 4 eV.[1] ITO vừa trong suốt đối với ánh sáng nhìn thấy vừa mang tính dẫn điện tương đối. ITO có điện trở suất thấp, ~ 10−4 Ω·cm và một màng mỏng có thể có độ truyền quang (transmittance) lớn hơn 80%.[2] Các thuộc tính này được sử dụng trong màn hình cảm ứng như điện thoại di động.